高純氣體分析色譜儀適用于高純氫、氧、氬、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等氣體中痕量雜質(zhì)的檢測(cè)，儀器配備高靈敏度的氦離子化(PDHID)檢測(cè)器，采用中心切割與反吹技術(shù)，配置具有吹掃保護(hù)氣路的進(jìn)樣切換閥和進(jìn)口氦氣純化器，通過(guò)無(wú)死體積取樣或在線進(jìn)樣方式，一次性完成上述高純氣體中H2、O2(Ar)、N2、CH4、CO、CO2等常見(jiàn)雜質(zhì)或C1-C4等碳?xì)浠衔锏臋z測(cè)，檢測(cè)限達(dá)ppb級(jí)，重復(fù)性RSD≤1%。
 

　　高純氣體分析色譜儀是利用氦中穩(wěn)定的，低功率脈沖放電作電離源，使被測(cè)組分電離產(chǎn)生信號(hào)。對(duì)所有物質(zhì)均有高靈敏度的正響應(yīng)。
 

　　1.脈沖放電間隔和功率高純氣體分析PDHID中放電電極距離為1.6mm，改變充電時(shí)間可改變經(jīng)過(guò)初級(jí)線圈的放電功率。充電時(shí)間越長(zhǎng)、功率越大。一般脈沖間隔為200-300μs,充電時(shí)間在40-45μs，基流和響應(yīng)值達(dá)z佳。因放電時(shí)間僅為1μs，而脈沖周期達(dá)幾百微秒，絕大部分時(shí)間放電電極是空載。所以放電區(qū)不會(huì)過(guò)熱。
 

　　2.偏電壓在放電區(qū)相鄰的電極上加一恒定的負(fù)偏電壓。響應(yīng)值隨偏電壓的增加而急劇增大，很快即達(dá)飽和。在飽和區(qū)響應(yīng)值基本不隨偏電壓而改變。PDHID在飽和區(qū)內(nèi)工作，噪聲較低?；髋c偏電壓的關(guān)系同響應(yīng)值與偏電壓。
 

　　3.通過(guò)放電區(qū)的氦流速高純氣體分析氦通過(guò)放電區(qū)有兩個(gè)目的：a保持放電區(qū)的潔凈，以便氦被激發(fā);b它作為尾吹氣加入，以減少被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間。只是它和傳統(tǒng)的尾吹氣加入方向相反。池體積為113ul，對(duì)峰寬為5s的色譜峰，要求氦流速為6.8-13.6ml/min，如果峰寬窄至1s，流速應(yīng)提高到34-68ml/min，以保持被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間短至該峰寬的10%-20%。
 

　　4.高純氣體分析色譜儀電離方式和性能特征高純氣體分析PDHID的電離方式尚不十分明朗，綜合文獻(xiàn)敘述，電離過(guò)程有三部分組成：a氦中放電發(fā)射出13.5-17.7eV的連續(xù)輻射光進(jìn)行光電離;b被高壓脈沖加速的電子直接電離組分AB，產(chǎn)生信號(hào)，或直接電離載氣和雜質(zhì)產(chǎn)生基流;c亞穩(wěn)態(tài)氦與組分反應(yīng)電離產(chǎn)生信號(hào)，或與雜質(zhì)反應(yīng)電離產(chǎn)生基流。.
 

　　e+AB→AB++2e
 

　　e+He→He**→He*+hν
 

　　He*+AB→AB++e+He