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一、氣相色譜分析的基本原理1．氣—固色譜分析：固定相是一種具有多孔及較大表面積的吸附劑顆粒。試樣由載氣攜帶進入柱子時，立即被吸附劑所吸附。載氣不斷流過吸附劑時，吸附著的被測組分又被洗脫下來。這種洗脫下來的現(xiàn)象稱為脫附。脫附的組分隨著載氣繼續(xù)前進時，又可被前面的吸附劑所吸附。隨著載氣的流動，被測組分在吸附劑表面進行反復(fù)的物理吸附、脫附過程。由于被測物質(zhì)中各個組分的性質(zhì)不同，它們在吸附劑上的吸附能力就不一樣，較難被吸附的組分就容易被脫附，較快地移向前面。容易被吸附的組分就不易被脫...

色譜法是一種分離技術(shù)。它以其具有高分離效能、高檢測性能、分析時間快速而成為現(xiàn)代儀器分析方法中應(yīng)用廣泛的一種方法。它的分離原理是，使混合物中各組分在兩相間進行分配，其中一相是不動的，稱為固定相，另一相是攜帶混合物流過此固定相的流體，稱為流動相。一、色譜法分類：按流動相的物態(tài)，色譜法可分為氣相色譜法（流動相為氣體）和液相色譜法（流動相為液體）；再按固定相的物態(tài)，又可分為氣固色譜法（固定相為固體吸附劑）、氣液色譜法（固定相為涂在固體上或毛細管壁上的液體）、液固色譜法和液液色譜法等。...

氣相色譜儀的工作原理：實現(xiàn)色譜分離的先決條件是必須具有固定相和流動相。色譜分離的內(nèi)因是固定相與被分離各組分發(fā)生的吸附（或分配）作用的差別，微觀解釋就是分子鍵相互作用力的差別。外因是由于固定相的不間斷流動，使被分離組分與固定相發(fā)生反復(fù)多次的吸附、解析過程，這樣就使那些在同一固定相上的移動速度吸附（或分配）系數(shù)只有微小差別的組分在固定相上的移動速度產(chǎn)生了很大的差別，從而達到各個組分的分離。氣相色譜儀的應(yīng)用：環(huán)境保護：大氣水源等污染地的痕量毒物分析、監(jiān)測和研究生物化學(xué)：臨床應(yīng)用，病...

變壓器油色譜分析儀應(yīng)用領(lǐng)域以及有關(guān)分析實例高等院校、特種氣體、環(huán)保、石化、化工、化肥、煤礦、制藥、食品、電力、釀酒、科研機構(gòu)等領(lǐng)域一、應(yīng)用領(lǐng)域（氣相色譜儀武漢）：1、石油和石油化工分析：油氣田勘探中的化學(xué)分析、原油分析、煉廠氣分析、模擬蒸餾、油料分析、單質(zhì)烴分析、含硫/含氮/含氧化合物分析、汽油添加劑分析、脂肪烴分析、芳烴分析。2、環(huán)境分析：大氣污染物分析、水分析、土壤分析、固體廢棄物分析。3、食品分析：農(nóng)藥殘留分析、香精香料分析、添加劑分析、脂肪酸甲酯分析、食品包裝材料分析...

離子色譜主要用于環(huán)境樣品的分析，包括地面水、飲用水、雨水、生活污水和工業(yè)廢水、酸沉降物和大氣顆粒物等樣品中的陰、陽離子，與微電子工業(yè)有關(guān)的水和試劑中痕量雜質(zhì)的分析。另外在食品、衛(wèi)生、石油化工、水及地質(zhì)等領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用。經(jīng)常檢測的常見離子有：陰離子：F-,Cl-,Br-,NO2-,PO43-,NO3-,SO42-，甲酸，乙酸，草酸等。陽離子：Li+,Na+,NH4+,K+,Ca2+,Mg2+,Cu2+,Zn2+,Fe2+,Fe3+等。離子色譜儀分離測定常見的陰離子是它的專長...

分離的原理是基于離子交換樹脂上可離解的離子與流動相中具有相同電荷的溶質(zhì)離子之間進行的可逆交換和分析物溶質(zhì)對交換劑親和力的差別而被分離。適用于親水性陰、陽離子的分離。例如幾個陰離子的分離，樣品溶液進樣之后，首先與分析柱的離子交換位置之間直接進行離子交換（即被保留在柱上），如用NaOH作淋洗液分析樣品中的F-、Cl-和SO42-，保留在柱上的陰離子即被淋洗液中的OH-基置換并從柱上被洗脫。對樹脂親和力弱的分析物離子先于對樹脂親和力強的分析物離子依次被洗脫，這就是離子色譜分離過程，...

乙醇汽油/無鉛汽油色譜儀說明乙醇汽油/無鉛汽油色譜儀配置1．GC-9560-HS主機2．色譜柱：A．預(yù)切柱TCEP，0.56m×0.38mm不銹鋼柱，20%TCEP/ChromosorbP（AW）80-100目B．分析柱DB-1（WCOT），30m×0.32mm×3μm，交聯(lián)甲基硅酮石英毛細管柱3．標準樣品：A．醇醚定性標樣B．單組分醇醚校正標樣C．混合醇醚校正標樣D．醇醚內(nèi)標E．醇醚切割標樣F．芳烴定性標樣G．單組分芳烴校正標樣H．混合芳烴校正標樣I．芳烴內(nèi)標J．芳烴切割標...

電子工業(yè)氣體:高純度硅烷氣體雜質(zhì)組份的檢測一:應(yīng)用領(lǐng)域：硅烷在大規(guī)模集成電路（LSI）、超大規(guī)模集成電路（VLSI）和半導(dǎo)體器件制造中，用于氣相外延生長、化學(xué)氣相淀積等工藝（工序）。1.外延（生長）混合氣在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長是一種單晶材料淀...